三星电子新芯片研发中心动工计划2028年前投资150亿美元
据国外媒体报道，上周五，三星电子在韩国开设了新的半导体R&D中心破土动工，计划到2028年投资约20万亿韩元。
刚刚被赦免的三星电子副总裁李在镕和高管出席了奠基仪式随后，他会见了芯片业务的员工，并单独会见了高管，讨论如何确保扩大半导体领导地位的技术
据报道，这个位于首尔南部Giheung的新R&D中心将领导下一代存储和系统芯片设备和工艺的高级研究，以及基于长期路线图的新技术开发。
该公司在一份声明中表示:三星电子正在寻求克服半导体规模的限制。
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[责任编辑：兰心雪]
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