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东微半导:积极布局第三代功率半导体产品SiC研发项目稳步推进

2022-09-07 14:18:34   来源:东方财富  阅读量:12893      分享 分享到搜狐微博 分享到网易微博

东半导体在近期的投资者调查中表示,报告期内,公司持续开发新技术,遵循公司技术路线图,稳步推进各项技术迭代,在高压超级结MOSFET,中低压屏蔽栅MOSFET,TGBT产品等领域积极开发新一代技术,有序推进产品从8英寸到12英寸的工艺平台拓展,进展顺利在TGBT产品领域,公司加强自主知识产权技术Tri—gateIGBT技术的研发,产品顺利通过多家客户验证并批量使用,快速实现了高性能IGBT产品的国产化替代公司第二代Tri—gateIGBT技术研发成功,产品性能进一步提升同时,公司积极布局第三代功率半导体产品,碳化硅R&D项目稳步推进

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